Micron Technology
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA (EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR)
Part Number: EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
Documents / Media: datasheets EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Volatile
- Тип памяти: DRAM
- Технология: SDRAM - Mobile LPDDR2
- Объем памяти: 1Gb (64M x 16)
- Скорость: 533MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: -
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 1.14 V ~ 1.95 V
- Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TC)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Корпус: 134-VFBGA
- Исполнение корпуса: 134-VFBGA (10x11.5)
Цена по запросу